特許
J-GLOBAL ID：200903099001590342
偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245740
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070341
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】実質的に独立に最適化され得るTEモード用半導体レーザ構造とTMモード用半導体レーザ構造を用いて構成され、偏波変調動作範囲の広い比較的低コストな偏波変調半導体レーザである。【解決手段】2個の異なる半導体レーザ構造1、2を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザである。一方の半導体レーザ構造1が、一方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器を有する。他方の半導体レーザ構造2が、他方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器又はファブリペロ型共振器を有する。2つの半導体レーザ構造1、2は導波方向に間隙3を置いて配置される。
請求項（抜粋）：
第1及び第2の偏波モードを共に有し少なくとも活性層と導波層が異なる2個の異なる半導体レーザ構造を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザであって、第1の半導体レーザ構造が、第1の偏波モードに対する利得が第2の偏波モードに対する利得よりも優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器を有し、第2の半導体レーザ構造が、第2の偏波モードに対する利得が第1の偏波モードに対する利得よりも優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器又はファブリペロ型共振器を有し、前記第1の半導体レーザ構造と第2の半導体レーザ構造は、第1の偏波モード同士及び第2の偏波モード同士の伝搬定数が夫々ほぼ等しい様に構成されており、前記第1の半導体レーザ構造と第2の半導体レーザ構造は導波方向に間隙を置いて配置されており、前記分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器のブラッグ波長が前記半導体レーザ構造の利得スペクトルのピーク波長近傍に設定してあり、第1及び第2の半導体レーザ構造の少なくとも一方に注入するキャリアに変調をかけることで前記第1の偏波モードと第2の偏波モードとの間で発振モードをスイッチングさせることを特徴とする偏波変調可能な半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
