特許
J-GLOBAL ID:200903099004992840
ペルチェ焼灼装置およびその温度制御方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
高橋 昌久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-376174
公開番号(公開出願番号):特開2002-177296
出願日: 2000年12月11日
公開日(公表日): 2002年06月25日
要約:
【要約】【目的】 ペルチェ素子を利用して大温度差、高熱流束を達成した、生体表面の局所治療にも適したコンパクトな焼灼装置、及び精度良く温度制御を行う温度制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】 装置先端に被焼灼面と接触される一方の面を有するペルチェ素子11a、11bと、その他方の面に接触配置された電極兼ヒートシンク14と、この電極兼ヒートシンクの先端又はその内側に設置された温度センサ20と、前記電極兼ヒートシンクの後端面に接触配置された外部冷却器15とで構成され、前記ペルチェ素子の被焼灼面と接触される面及び前記外部冷却器の後端部を除く構成が真空容器30中に封入されてなるペルチェ焼灼装置であり、前記温度センサで検知された温度から装置先端の表面温度を予測し、前記ペルチェ素子に通電する電流(電圧)を調整することにより、被焼灼面と接触される装置先端の表面温度を所定温度に制御する。
請求項(抜粋):
装置先端に被焼灼面と接触される一方の面を有するペルチェ素子と、該ペルチェ素子の他方の面に接触配置された電極兼ヒートシンクと、該電極兼ヒートシンクの前記ペルチェ素子側の先端又はその内側に設置された温度センサと、前記電極兼ヒートシンクの前記ペルチェ素子と接触していない後端面に接触配置された外部冷却器とで構成され、前記ペルチェ素子の被焼灼面と接触される面及び前記外部冷却器の後端部を除く構成が真空容器中に封入されてなることを特徴とするペルチェ焼灼装置。
IPC (6件):
A61B 18/02
, A61B 18/04
, A61F 7/00 300
, A61F 7/00 310
, A61F 7/08 333
, A61F 7/10 351
FI (6件):
A61F 7/00 300
, A61F 7/00 310 J
, A61F 7/08 333
, A61F 7/10 351
, A61B 17/36 310
, A61B 17/38 310
Fターム (7件):
4C060JJ01
, 4C060KK47
, 4C099AA03
, 4C099CA01
, 4C099EA08
, 4C099JA02
, 4C099PA01
引用特許:
前のページに戻る