特許

J-GLOBAL ID：200903099007534843

研磨用組成物

発明者： 竹田 敏郎 ,  小川 俊彦 ,  木村 道生
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317776
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124156
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたCMP加工用の研磨用組成物を提供する。【解決手段】 (A)キノリンカルボン酸、(B)有機酸、(C)過酸化水素、および(D)水からなり、キノリンカルボン酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、有機酸の研磨組成物中の濃度が0.05〜5重量%であり、過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜5重量%である研磨用組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)式(1)であらわされるキノリンカルボン酸、(B)有機酸、(C)過酸化水素および(D)水からなる研磨用組成物であり、(A)キノリンカルボン酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(B)有機酸がクエン酸、酒石酸、リンゴ酸の中から選択された少なくとも一つ以上の酸であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(C)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜5重量%であることを特徴とする研磨用組成物。【化1】

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17