特許

J-GLOBAL ID：200903099008464539

半導体発光素子

発明者： 地頭所 保 ,  岡崎 治彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112531
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は、InGaAsP-InP系半導体発光素子において信頼性を高くし、高歩留まりで発光効率を高くすることが目的である。【構成】InGaAsP層5a,5b内に少なくとも一層以上のp型InGaAsP層6を設ける。このとき、p側電極8に接するInGaAsP層5b厚を0.1μm程度に薄くし、p側電極の形成後に450°Cで熱処理を行うと、InGaAsP層5bのみならず、InGaAsP層と合金化の化学反応を起こし、オーミック抵抗を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

活性層に接して順次クラッド層、前記活性層よりも大きいエネルギーギャップを持つInGaAsPオーミックコンタクト層を設けたInGaAsP-InP系半導体発光素子において、前記InGaAsPオーミックコンタクト層内に少なくとも一層のInGaAs層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。