特許
J-GLOBAL ID：200903099012013053
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312345
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225947
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 高周波電力の低パワー領域においても比較的大面積の基体を均一にプラズマ処理することが可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】 電極を兼ねる被処理基体に、直流電圧を30v以上300v以下、あるいは-30v以下-300v以上、又は/及び周波数が2MHz以下の交流電圧を30v以上600v以下の範囲で印加することで、減圧可能な反応容器内で、放電周波数が20MHz以上450MHz以下の高周波電源を用いた、プラズマ処理装置を用いて、高周波電源の放電周波数及び印加パワーに左右されずに、プラズマの均一性及び膜厚分布を均一化することを可能とし、成膜などの処理条件及び製造装置の設計の許容範囲を広げる。
請求項（抜粋）：
排気手段と原料ガス供給手段とに接続された室内に被処理基体を兼ねる第1電極と、この第1電極に対向して設置された第2電極とを有し、放電周波数が20MHz以上の高周波電力を印加することにより前記第1電極と前記第2電極との間で放電を生じさせ、この放電により前記室内に導入された原料ガスを分解し、前記被処理基体をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記第1電極に直流電圧又は/及び、交流電圧を印可することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C23C 16/24
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
C23C 16/50
, C23C 16/24
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
