特許
J-GLOBAL ID：200903099013384330
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大木 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-256885
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 放出電流が安定でかつ電流利得が大きいダイヤモンド電子放出素子を提供する。【解決手段】 電子の放出特性を著しく安定させたダイヤモンド電子放出素子アレイの製造方法に関する。詳しくは、規則的に配列されるとともに放射面高さのそろったシリンダー型のダイヤモンド電子放出素子の製造方法に関する。シリンダー上面を微細加工することにより電流利得がさらに向上する。アレイを構成するダイヤモンド電子放出素子はsp2を多く含む高欠陥密度ダイヤモンドであり、25V/μmまたはそれ以下の低印加電界において、0.1mA/mm2の電子電流密度を放射できる。特に有利な構造は直径10μm以下の直径、高さが一定なシリンダーが最密充填したアレイである。
請求項（抜粋）：
基板を用意する工程と、前記基板上にダイヤモンド膜を形成する工程と、前記基板を除去する工程と、前記ダイヤモンド膜をひっくり返す工程と、前記ダイヤモンド膜上に微粒子を所定のパターンで配列する工程と、前記微粒子を通して前記ダイヤモンド膜にプラズマを照射して前記ダイヤモンド膜の一部を除去する工程と、前記微粒子を除去する工程と、を備える電子放出素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
5C031DD09
, 5C031DD19
, 5C036EE19
, 5C036EG50
, 5C036EH11
