特許
J-GLOBAL ID：200903099014836871
半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229356
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061580
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体を用いて青色発光が可能な半導体レーザーを実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、ZnSe/ZnMgSSe多重量子井戸層から成る活性層4、p型ZnMgSSeクラッド層5及びp型ZnSeコンタクト層6を分子線エピタキシー法により順次積層する。p側電極にはAu/Pd電極8を用い、n側電極にはIn電極9を用いる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第一導電型の第一のクラッド層と、上記第一のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第二導電型の第二のクラッド層とを有する半導体レーザーにおいて、上記化合物半導体基板と上記第一のクラッド層との間にZnSe系化合物半導体から成るバッファ層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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