特許

J-GLOBAL ID：200903099020657644

エッチング処理法

発明者： 吉田 卓司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135841
公開番号（公開出願番号）：特開平8-003765
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：

【要約】【目的】 エッチングする薄膜を成膜する際の不純物の混入や薄膜の膜質が異なることにより酸化還元電位が変化したとき、該変化のみを正確に把握し、さらに劣化したエッチング液を効率よく再生させうるエッチング処理法を提供すること。【構成】 薄膜上にフォトレジストのパターンが形成された基板をエッチング液に浸漬し、フォトレジストで覆われていない部分の薄膜を溶解除去し、フォトレジストで覆われた部分の薄膜をフォトレジストのパターンに加工する際に、前記基板、白金電極および参照電極をエッチング液中に浸漬し、基板と白金電極とのあいだの電位差を測定し、基板のフォトレジストで覆われていない部分の薄膜を溶解除去しているときに、参照電極と、基板および/または白金電極とのあいだの電位差の変化を測定するエッチング処理法。

請求項（抜粋）：

その薄膜上にフォトレジストのパターンが形成された基板をエッチング液に浸漬し、フォトレジストで覆われていない部分の薄膜を溶解除去することにより、フォトレジストで覆われた部分の薄膜を前記フォトレジストのパターンに加工するエッチング処理法であって、前記エッチング液中に、前記薄膜上にフォトレジストのパターンが形成された基板、白金電極および参照電極を浸漬し、前記基板と白金電極とのあいだの電位差を測定し、前記基板のフォトレジストで覆われていない部分の薄膜を溶解除去しているときに、前記参照電極と、前記基板および/または前記白金電極とのあいだの電位差の変化を測定することを特徴とするエッチング処理法。