特許
J-GLOBAL ID：200903099022546963
マイクロ波帯ウエハプロービング用プローブヘツド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222829
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063040
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 一方向に多数の入出力ポートを持つ半導体装置のプロービングを同時に行うことができるRFプローブヘッドを得る。【構成】 RFプローブヘッド本体1に取り付けられるセラミック・ブレード11,12をそれぞれ傾斜させて配置することによって、前記セラミック・ブレード11,12が近接して配置され、一方向に2つの入出力ポートを備えた半導体装置のプロービングを同時に行えることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
セラミック・ブレードに設けられた信号ニードルおよび接地ニードルを、マイクロ波帯〜ミリ波帯の入出力ポートを有する半導体装置のマイクロ波帯ウエハプロービング用プローブパッドに接触せしめて高周波測定を行うプロービング用プローブヘッドにおいて、前記プロービング用プローブヘッドのセラミック・ブレードをそれぞれ傾斜せしめて一方向に複数のプロービング用プローブヘッドのセラミック・ブレードを近接させて配置したことを特徴とするマイクロ波帯ウエハプロービング用プローブヘッド。
IPC (2件)：
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