特許

J-GLOBAL ID：200903099023073449

有機金属気相成長法

発明者： 池田 正清 ,  田中 秀一 ,  椎名 泰一
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299366
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124908
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【構成】 III -V族化合物半導体のIII 族元素の原料である1種以上のメチル系有機金属と、V族元素の原料である水素化物とを含む原料ガスを反応炉内に流し、その流れに略平行に設置した基板面上にIII -V族化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長法において、反応炉内を略常圧とし、V族原料とIII 族原料との供給量比([V族原料]/[III 族原料])を1以下として原料ガスの熱膨張を考慮しない平均流速を15cm/秒以上とし、さらに基板面を500°C以下に加熱することを特徴とする有機金属気相成長法。【効果】 従来設備をそのまま用いて容易に炭素(C)を高濃度に添加したGaAs等のIII -V族化合物半導体薄膜が得られるので高品質のHBT等が安価に作製できる。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体のIII 族元素の原料である1種以上のメチル系有機金属と、V族元素の原料である水素化物とを含む原料ガスを反応炉内に流し、その流れに略平行に設置した基板面上にIII -V族化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長法において、反応炉内を略常圧とし、V族原料とIII 族原料との供給量比([V族原料]/[III 族原料])を1以下として原料ガスの熱膨脹を考慮しない平均流速を15cm/秒以上とし、さらに基板面を 500°C以下に加熱することを特徴とする有機金属気相成長法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-110829
  
• 特開昭64-083599