特許

J-GLOBAL ID：200903099026185922

シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

発明者： 白川 義徳 ,  本山 民雄 ,  草場 辰己
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-378220
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184781
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】ボロン濃度が均一に制御された、半導体デバイスの集積回路用として最適なシリコンウェーハを提供できる。【解決手段】(1) ボロンをドープしたシリコンウェーハを水素とジボラン(B2H6)の混合ガス雰囲気中で1000°C以上の温度で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。この雰囲気を構成する水素とジボラン(B2H6)混合ガス中のジボランの混合比を1%以上とするのが望ましい。(2) 上記(1)のシリコンウェーハの製造方法によって得られたシリコンウェーハであって、ウェーハ最表層のボロン濃度とウェーハ中心部のボロン濃度との差異が10%以下であることを特徴とするシリコンウェーハである。

請求項（抜粋）：

ボロン(B)をドープしたシリコンウェーハを水素とジボラン(B2H6)の混合ガスで構成された雰囲気中で1000°C以上の温度で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。