特許

J-GLOBAL ID：200903099026664766

半導体装置

発明者： 菅井 昭彦
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030112
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲ-ト容量の充放電によるゲ-ト駆動電力損失を少なくし、高いスイッチング周波数の使用に供してオン抵抗、及びゲ-ト容量の非常に小さい同期整流用パワーMOSFETを提供する。【構成】 ドレ-ン領域となる半導体基体2に形成したソ-ス領域となるショットキ-バリア-領域5、これと領域2にまたがるように形成されたゲ-ト酸化膜7及びゲ-ト電極8から成り、これに囲まれた窓内のソ-ス領域に、Si面がゲ-ト領域のSi面より少なくとも0.1μmから2.0μmの深さの溝12を有し、この溝内にシリサイド5を設けその端が電極8の直下に形成され、又領域5直下に不純物領域4を有し、電極直下ドレ-ン領域に厚い絶縁膜6を有し、この直下に不純物領域11を有する。

請求項（抜粋）：

ドレ-ン領域となる第一導伝型の半導体基体に形成したソ-ス領域となるショットキ-バリア-領域、該ショットキ-バリア-領域とドレ-ン 領域にまたがるように形成されたゲ-ト酸化膜及びゲ-ト電極から成り、該ゲ-ト電極に囲まれた窓内にソ-ス電極を有し、前記ゲ-ト電極に囲まれた窓内のソ-ス領域に、Si面がゲ-ト領域のSi面より少なくとも0.1μmから2.0μmの深さの溝を有し、この溝内にソ-ス領域となるシリサイドを設け、前記ソ-ス領域となるシリサイド端がゲ-ト電極の直下に形成され、前記溝底部シリサイド直下に第二導電型不純物領域を有し、前記ゲ-ト電極直下ドレ-ン領域に厚い絶縁膜を有し、この絶縁膜直下に第二導伝型の不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/78 321 G ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 321 S