特許

J-GLOBAL ID：200903099033592088

半導体集積回路装置

発明者： 薩摩 和正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161984
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板内に形成されたMOSFETの、基板電流に起因する特性劣化を低減できる半導体集積回路装置を得る。【構成】 半導体基板1と、該半導体基板1の一主面上にゲート酸化膜2を介して設けられた複数のゲート電極3a〜3cと、この複数のゲート電極3a〜3cによって区切られて半導体基板の一主面上に設けられたソース領域4a,4c及びドレイン領域4b,4dとを備え、半導体基板1に対する電気的コンタクト5a,5cを上記ソース領域4a,4c内に設けた。【効果】 どのソース領域4a,4cも基板電位をその直近で取ることとなって、ソース電位を十分に安定化させることができ、MOSの反転電圧の低下や、降伏電圧の劣化を防止することが可能となる。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体集積回路装置において、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面上に絶縁層を介して設けられた複数個のゲート電極と、上記半導体基板の一主面上に設けられ、上記複数個のゲート電極によって区切られた複数の第2導電型のソース領域,およびドレイン領域とを備え、上記ゲート電極で挟まれた第2導電型のソース領域内に、上記第1導電型の半導体基板に対する電気的コンタクトをとる第1導電型の基板コンタクト領域が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 X