特許
J-GLOBAL ID：200903099036538505
高密着性ダイヤモンド薄膜装置の作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-183889
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜と基体間の密着性強化を図り、実用性に富んだダイヤモンド薄膜装置を提供する。【構成】 公知の気相成長法により各種基体上に形成せしめたダイヤモンド薄膜装置を、減圧状態に保たれた容器内部に設置し電気炉により加熱処理を行うこと、減圧状態に保たれた成膜装置内部にて成膜後そのまま加熱処理を行うこと、減圧状態に保たれた容器内部に設置しレーザ光により加熱処理を行うこと、上記3項の減圧状態を窒素雰囲気において達成し加熱処理を行うこと、上記3項の減圧状態を酸素雰囲気において達成し加熱処理を行うこと、以上の少なくとも一つの処理を行う高密着性ダイヤモンド薄膜装置の作製方法。
請求項（抜粋）：
被形成面を有する基体上に作成されたダイヤモンド薄膜を、該基体と共に酸素または窒素雰囲気を含む減圧状態の容器内で加熱し、該基体とダイヤモンド薄膜の間に中間層を生ぜしめることにより、両者の密着性を向上させることを特徴とする高密着性ダイヤモンド薄膜装置の作製方法。
引用特許：
前のページに戻る
