特許

J-GLOBAL ID：200903099038686641

半導体薄膜成長装置

発明者： 杉山 直治 ,  金谷 宏行 ,  今井 聖支
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213959
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078335
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。【構成】 成長用の真空容器2と、真空容器2内を排気する排気機構3と、真空容器2に内装され被成長用基板を支持する基板支持機構4と、基板支持機構4に支持される被成長用基板の成長面の反対主面を加熱する基板加熱体6と、真空容器2内にIV族元素を含む原料気体を導入する原料気体導入部8と、基板支持機構4に支持される被成長用基板の成長面側に内装配置され、原料気体の一部を熱分解させ、この熱分解生成物を分散含有した原料気体を被成長用基板の成長面に供給する原料気体熱分解用発熱体9とを具備して成る。

請求項（抜粋）：

成長用の真空容器と、前記真空容器内を排気する排気機構と、前記真空容器に内装され被成長用基板を支持する基板支持機構と、前記基板支持機構に支持される被成長用基板の成長面の反対主面を加熱する基板加熱体と、前記真空容器内にIV族元素を含む原料気体を導入する原料気体導入部と、前記基板支持機構に支持される被成長用基板の成長面側に内装配置され、原料気体の一部を熱分解させ、この熱分解生成物を分散含有した原料気体を被成長用基板の成長面に供給する原料気体熱分解用発熱体とを具備して成ることを特徴とする半導体薄膜成長装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-111417
  
• 特開昭62-163315
  
• 特開平3-239320