半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307359
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145274
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】分離溝の上端部における埋込絶縁膜(107)のエッチを防止して、エッチ残りによる短絡およびゲート絶縁膜の信頼性の劣化を防止する。【解決手段】溝を形成する際のマスク材(103)の側壁に側壁絶縁膜(104)を形成してエッチングを行ない、分離溝(105)を形成した後、絶縁膜(107)を埋込み、表面を平坦化する。【効果】活性領域の縁部上に、中央部上に形成された絶縁膜より厚い絶縁膜が残るので、分離溝(105)のエッジ部が露出してエッチされることはなく、歩留りおよびゲート絶縁膜の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された複数の活性領域と、隣接する当該活性領域の間の上記半導体基板に形成され第1の絶縁膜によって充填された溝と、上記活性領域の表面上に連続して形成された第2の絶縁膜を有し、上記活性領域の縁部上における上記第2の絶縁膜の膜厚は上記活性領域の中央部上における膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。

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