半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263601
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102152
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】電気伝導性が高く、エレクトロマイグレーション耐性の高い配線構造を有する半導体装置を得る。【構成】半導体基板11上に、絶縁膜12を形成し、コンタクトホール13を開口した後、W膜14,Cu膜15を形成し、パターニングを行なう。このように、W膜14とCu膜15を積層構造とすることにより、Cuが配線の電気伝導性を高めるために機能し、Wが主にエレクトロマイグレーション耐性を高めるために機能する。このため、高速で信頼性の高いデバイスを得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：