特許
J-GLOBAL ID：200903099049169380
プラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-276667
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086569
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 金属または金属化合物膜、特にCoSi2膜表面の自然酸化膜を十分な選択比で除去することができ、金属または金属化合物膜に与えるダメージを低減しつつ効率よく自然酸化膜を除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理方法は、表面に金属または金属化合物の膜が形成されたシリコンウエハWを処理容器20内に収容し、前記処理容器20内に希ガスおよびH2ガスを供給しつつ、処理容器20内に供給されたガスをプラズマ化し、このプラズマ化されたガスにより前記金属または金属化合物表面の自然酸化膜を除去する。
請求項（抜粋）：
表面に金属または金属化合物の膜が形成された基板を処理容器内に収容し、前記処理容器内に希ガスおよびH2ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記金属または金属化合物の膜の表面に形成された自然酸化膜を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。
Fターム (12件)：
5F004AA05
, 5F004AA08
, 5F004AA14
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004BB13
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DB13
