特許
J-GLOBAL ID：200903099052566896
半導体表面の清浄化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244799
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097139
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 表面清浄化に要する基板加熱温度が比較的低く、工程の時間も短くて済む水素ラジカルを利用した半導体表面の清浄化方法を提供する。【構成】 ラジカル処理工程において、原子状水素を含むラジカル雰囲気に半導体の表面を曝した状態で、12分間、200°Cに保ち、半導体の表面をラジカルと反応させ、清浄化工程において、半導体の表面を、ラジカルを含まない雰囲気中で、200°Cより高い400°Cまで昇温した後、約5分間だけ保ち、半導体の表面からラジカル処理工程において生成された反応生成物を脱離させ、半導体の表面を清浄化する。ラジカル処理工程および清浄化工程は、必要に応じて繰り返すことができる。【効果】 半導体基板を不必要な高温に長時間曝す事無く清浄化する事ができ、一般的に好ましくないデバイス構造の変化が防止できるのはもちろん、原子状の水素が半導体中に拡散するのを最小限に抑えることができデバイス特性の劣化が防げる。また、製造工程の時間短縮が行える。
請求項（抜粋）：
原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を含むラジカル雰囲気に半導体の表面を曝した状態で、所定の第1の処理時間だけ所定の第1の処理温度に保ち、前記半導体の表面を該ラジカルと反応させるラジカル処理工程と、前記半導体の表面を、前記ラジカルを含まない雰囲気中で、前記第1の処理温度より高い第2の処理温度まで昇温した後、第2の処理時間だけ保ち、前記半導体の表面から前記ラジカル処理工程において生成された反応生成物を脱離させ、前記半導体の表面を清浄化する清浄化工程とを有することを特徴とする半導体表面の清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
