特許
J-GLOBAL ID:200903099055370089
熱電素子用半導体磁器組成物
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-318119
公開番号(公開出願番号):特開平9-157003
出願日: 1995年12月06日
公開日(公表日): 1997年06月17日
要約:
【要約】【課題】 安価で、無害な材料を使用し、また、電力因子を母材として不純物の種類によって決定される上限値を越えた性能向上を図ること。【解決手段】 熱電素子用半導体磁器組成物に関し、組成式[Zn<SB>1-x</SB> In<SB>x</SB> ]<SB>1-y</SB> Sr<SB>y</SB> Oにおいて、0<x<5mol%、0<y≦1mol%とした。
請求項(抜粋):
ゼーベック効果を利用した熱電発電、ペルチェ効果を利用した電子冷凍、あるいは温度センシングに使用する熱電素子を作製するための半導体磁器組成物に関し、組成式[Zn<SB>1-x</SB> In<SB>x</SB> ]<SB>1-y</SB> Sr<SB>y</SB> Oにおいて、0<x<5mol%、0<y≦1mol%であることを特徴とする熱電素子用半導体磁器組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
C04B 35/00 P
, H01L 35/14
前のページに戻る