特許

J-GLOBAL ID：200903099057547849

半導体光変調器

発明者： 佐藤 嘉洋
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332064
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171162
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 GRIN-SCH構造を有し多重量子井戸層を光吸収層とする光変調器に関し,光吸収層からのキャリアの除去を容易にすることを目的とする。【解決手段】 井戸層1aと障壁層1bを積層した多重量子井戸層1を光吸収層とし,多重量子井戸層1を挟むn型及びp型クラッド層2,3と,クラッド層2,3と多重量子井戸層1間に設けられクラッド層2,3方向に禁制帯幅が連続的に広がる光導波路層4,5とを有する半導体光変調器において,光導波路層4の禁制帯幅は光吸収層に入射され変調される光のフォトンエネルギより大きく,かつ多重量子井戸層1と光導波路層4,5とが,n型クラッド側で伝導帯の不連続を生ぜず,n型クラッド側で価電子帯の不連続を生じないように構成する。

請求項（抜粋）：

井戸層と該井戸層より広い禁制帯幅を有する障壁層とを交互に積層してなる多重量子井戸層と,該多重量子井戸層を挟み該多重量子井戸層の一方の側に設けられたn型クラッド層及び他方の側に設けられたp型クラッド層と,該n型クラッド層と該多重量子井戸層との間に設けられ該n型クラッド層方向に禁制帯幅が連続的に広がる光導波路層とを有し,該多重量子井戸層を光吸収層とする半導体光変調器において,該光導波路層は,該光吸収層に入射され変調される光のフォトンエネルギより大きな禁制帯幅を有し,該多重量子井戸層との接合面近傍の該光導波路層の伝導帯の底が,該障壁層の伝導帯の底より低いことを特徴とする半導体光変調器。