特許

J-GLOBAL ID：200903099061009428

半導体装置およびその製造方法

発明者： 五十嵐 泰史
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297956
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100995
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 水素拡散により性能が劣化しやすいデバイスにパッシベーション膜を形成する際に、デバイスへの水素の拡散を抑え、高性能を維持できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、その上に形成された強誘電体キャパシタ7と、該強誘電体キャパシタ7を内包する第1層間膜3と、該第1層間膜3上に形成されたパッシベーション膜6と、を有する半導体装置であって、前記パッシベーション膜6の下方で、かつ直近に、水素拡散防止膜5が形成されていることを特徴とする半導体装置である。また、上記半導体装置を製造する方法であって、少なくとも、パッシベーション膜の下方で、かつ直近に、水素拡散防止膜を形成する工程が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第1層間膜と、該第1層間膜上に形成されたパッシベーション膜と、を有する半導体装置であって、前記パッシベーション膜の下方で、かつ直近に、水素拡散防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (17件)：

5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF14 ,  5F058BF41 ,  5F058BF46 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA31 ,  5F083JA56 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-102367
  
• 特開平4-102367