半導体装置における配線パターン構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129041
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326728
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】適用箇所の制限が少なく、確実に電気抵抗の増加が解消される半導体装置におけるパターン構造の提供【構成】半導体装置は、下地としての第1層間膜1が形成され、この上部に第1配線パターン21 〜23 が設けられている。第1層間膜1の上方には、全面に亘たって第2層間膜が形成され、この膜上には第2配線パターン41 が形成されている。第 1配線パターン21 〜23 と第2配線パターン41 とは、直交する位置関係に形成されている。第1配線パターン21 〜23 の間隔が比較的大きい部分(パターン22 とパターン23 との間)などの平面的に見てパターンが交差した部分に対応させて、第2配線パターン41 の両側に拡幅部5a,5bを形成している。

請求項（抜粋）：

層間膜を挟んで上下に層状に形成される複数の配線パターンを有し、かつ、これらの配線パターンが平面的に見て交差している半導体装置におけるパターン構造において、前記層状に形成された配線パターンの少なくとも何れか一方に、前記交差部分に対応させて拡幅部を形成したことを特徴とする半導体装置における配線パターン構造。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-002121
特開平2-109350
特開昭64-012552

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