特許

J-GLOBAL ID：200903099067811242

半導体装置

発明者： 若田部 勝 ,  田中 貢 ,  九里 伸治
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261132
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075098
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 セルサイズに対する有効なチャネル幅の比を決定する順電流有効領域比を増大した順方向特性、逆方向特性及びスイッチング特性の優れた半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 一導電型半導体1表面を凹凸5,6状とし、凸部6の上部に第1の逆導電型半導体領域2a、凸部の底部又は側部の一部を含む底部に第2の逆導電型半導体領域2bを形成し、第1と第2の領域がはさむ凸部の少なくとも一つの側部にショットキ3又はオ-ミック接触を形成する金属層を設けることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体表面を凹凸状にするトレンチ溝を形成した半導体装置において、凸部の上部に第1の逆導電型半導体領域、凸部の底部又は側部の一部を含む底部に第2の逆導電型半導体領域を形成し、第1と第2の逆導電型半導体領域がはさむ凸部の少なくとも一つの側部にショットキ又はオ-ミック接触を形成する金属層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-227476
  
• 特開昭62-012169