特許

J-GLOBAL ID：200903099073595136

モールド型半導体装置

発明者： 栗原 保敏 ,  岡田 亘右 ,  中嶋 浩一 ,  前嶋 信義 ,  遠藤 恒雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291545
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135377
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】固着部の耐熱疲労性と気密性に優れたモールド型半導体装置を提供する。【解決手段】モールド型半導体装置は、 半導体構成部品としての回路基板10,半導体素子21,チップ抵抗体22,チップコンデンサ23,端子24などが、 金属板1の主面に絶縁層2を介して形成された配線層3上に、90(wt%)以上のSnに、Sb,Zn,In及びBiの群から選択された 1種類以上の金属が添加された合金材からなる固着材25によって固着され、該半導体構成部品等が、熱膨張率が14〜20(ppm/°C)に選択されたモールド樹脂30によって被覆されている。

請求項（抜粋）：

半導体構成部品が、 金属板の主面に絶縁層を介して形成された配線層上に、90(wt%)以上のSnに、 Sb,Zn,In及びBiの群から選択された1種類以上の金属が添加された合金材によって固着され、前記半導体構成部品等が、熱膨張率が14〜20(ppm/°C)に選択されたモールド樹脂によって被覆されていることを特徴とするモールド型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 23/30 R ,  H01L 21/52 E ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/36 D