特許

J-GLOBAL ID：200903099076726568

半導体素子の製造方法およびその製造に用いる半導体ウエハ

発明者： 田中 耕太 ,  松野下 柔男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035539
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233458
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【目的】 一枚の半導体ウエハから多くの半導体チップを製造する。【構成】 主面に縦横に矩形状の半導体素子部を整列配置した半導体ウエハを用意した後、前記半導体素子部間の縦分割領域および横分割領域に沿って前記半導体ウエハを分割して矩形の半導体素子を製造する方法であって、前記縦分割領域の幅と前記横分割領域の幅が相互に異なるように形成する。前記半導体素子が長方形である場合、前記半導体素子の長い辺に沿って延在する方向の分割領域の幅を狭く、前記半導体素子の短い辺に沿って延在する方向の分割領域の幅を広く形成する。前記幅が広い分割領域の全てまたは一部にテスト・エレメント・グループ等のマークを設ける。前記分割によって形成される半導体素子の各辺の残留分割領域の幅が同一または近似するように、前記幅が広い分割領域は幅が広いブレードで切断し、前記幅が狭い分割領域は幅が狭いブレードで切断する。

請求項（抜粋）：

主面に縦横に矩形状の半導体素子部を整列配置した半導体ウエハを用意した後、前記半導体素子部間の縦分割領域および横分割領域に沿って前記半導体ウエハを分割して矩形の半導体素子を製造する方法であって、前記縦分割領域の幅と前記横分割領域の幅が相互に異なるように形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。