特許

J-GLOBAL ID：200903099077670884

集束イオンビームによる試料の加工方法

発明者： 水尾 有里
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134988
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319954
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 集束イオンビーム(FIB)を用いてSi単結晶ウェハ表層部における欠陥箇所を解析するための試料を加工する際に、走査イオン顕微鏡像(SIM像)観察時のGaイオンビーム照射による損傷層形成、Ga混入等のSi単結晶ウェハ表面状態の変動を防止し、Si単結晶ウェハ表層部の欠陥箇所を正常に解析することを可能にする。【解決手段】 FIBを用いてSi単結晶ウェハ表層部における欠陥箇所を、形状観察および組成分析等により解析する試料を加工する際に、Si単結晶ウェハ表面に保護膜を予め塗布してから、所望の観察箇所のSIM像観察、FIB加工を行い、その後、前記保護膜をHF等で除去することにより、FIBによる損傷層形成、Ga混入等のSi単結晶ウェハ表面状態の変動を防止する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶ウェハ表層部の欠陥箇所を解析するための試料を集束イオンビームを用いて加工する方法であって、集束イオンビームによる加工を行う際に、試料表面の走査イオン顕微鏡像の観察を行う前に、Gaイオンビームによる試料損傷に対して遮蔽効果を有し、かつシリコン単結晶ウェハ表面に損傷を与えることなく除去することが可能な保護膜を、固体材料の表面状態に影響を及ぼさない成膜方法で予め形成する工程と、集束イオンビームによる加工を行った後、前記保護膜を除去する工程を含むことを特徴とする集束イオンビームによる試料の加工方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  C30B 29/06 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/317

FI (7件)：

H01L 21/66 J ,  C30B 29/06 B ,  G01N 1/32 B ,  H01J 37/28 Z ,  H01J 37/317 D ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 N

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077FG02 ,  4M106AA02 ,  4M106AA10 ,  4M106BA03 ,  4M106CA51 ,  4M106CB19 ,  4M106CB21 ,  4M106DH08 ,  4M106DH24 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ33 ,  5C033UU04 ,  5C033UU06 ,  5C034DD06