化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037275
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270403
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 CMP工程後に適用されるウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】CMP工程を経たウェーハの表面に脱イオン水及び第1化学溶液を供給すると同時にブラシを用いたスクラビング工程を行なってウェーハの表面を洗浄した後、またウェーハの表面に第2化学溶液を供給してウェーハの表面を洗浄する。

請求項（抜粋）：

所定の半導体製造工程を経たウェーハの表面に脱イオン水及び第1化学溶液を供給すると同時にブラシを用いたスクラビング工程によってウェーハの表面を第1洗浄する段階と、前記第1洗浄を経たウェーハの表面に第2化学溶液を供給して、ウェーハの表面を第2洗浄する段階を含むことを特徴とするウェーハ洗浄方法。

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