特許
J-GLOBAL ID：200903099084109586
半導体トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106365
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧低損失のパワー半導体トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明の半導体トランジスタは、AlN分子を含んだ絶縁体膜を用いて、構成の単純な高性能パワー半導体トランジスタを実現するものである。具体的には、SiCによる導電層部に接して格子定数の近いAlN層またはその混晶、例えばAlGaN層をエピタキシャル成長させ、界面準位の少ない良好な界面を形成し、その上部に電流を制御する電極を設けた構造にする。このことによって、絶縁体下部には反転層によるチャネルが形成し、耐圧の高くかつ低損失なパワー半導体トランジスタを実現するものである。
請求項（抜粋）：
炭化シリコン層を導電層に含む半導体装置において、半導体装置の一部として用いられる絶縁体膜層に少なくともAlNを含んだ層を用いていることを特徴とする半導体トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 29/16
5F058BA01
, 5F058BA20
, 5F058BB01
, 5F058BB06
, 5F058BB10
, 5F058BC09
, 5F058BC20
, 5F058BF06
