半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163658
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354535
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】縦型バイポーラトランジスタ、特に、誘電体分離型の相補型バイポーラトランジスタにおいて、トランジスタの高耐圧化とコレクタ抵抗の低減とが両立された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成された埋め込み絶縁膜2の上層に、埋め込み層4、5、コレクタ領域7、8、ベース領域10、11、エミッタ領域12、14およびコレクタコンタクト13、15を含有する縦型バイポーラトランジスタと、前記トランジスタの側面に電気的絶縁のためのトレンチ16と、トレンチ内壁を被覆する酸化膜17と、トレンチ内部の高不純物濃度の埋め込み材料18と、コレクタ領域7、8のトレンチ16との界面に形成されているコレクタウォール18n、18pとを有する半導体装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

トレンチを用いて、隣接する第1の半導体回路と第2の半導体回路を絶縁分離する半導体装置であって、半導体基板上に形成されている埋め込み絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている第1導電型の高濃度不純物拡散層からなる第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層上に形成されている第1導電型の低濃度不純物拡散層からなる第1のコレクタ領域と、前記第1のコレクタ領域に形成されている第2導電型の第1のベース領域と、前記第1のベース領域に形成されている第1導電型の高濃度不純物拡散層からなる第1のエミッタ領域と、前記第1のコレクタ領域表面に、前記第1のベース領域と所定の間隔をあけて形成されている、第1導電型の高濃度不純物拡散層からなる第1のコレクタコンタクトとを有する第1半導体回路と、前記第1の半導体回路の側面に、前記コレクタコンタクトから前記埋め込み絶縁膜まで形成され、前記第1の半導体回路を隣接する第2の半導体回路から電気的に絶縁分離するトレンチと、前記トレンチ内壁の、少なくとも前記コレクタコンタクトとの界面を除く部分に形成されている絶縁膜と、前記トレンチ内部に埋め込まれている、第1導電型不純物を高濃度に含有する埋め込み材料と、前記コレクタ領域の前記トレンチとの界面に、前記埋め込み層から前記コレクタコンタクトまで形成されている第1導電型不純物拡散層からなるコレクタウォールとを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/76 , H01L 21/762

FI (3件)：

H01L 29/72 , H01L 21/76 L , H01L 21/76 D

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