特許

J-GLOBAL ID：200903099087797017

絶縁膜への窓乃至溝形成法

発明者： 加藤 愼一 ,  佐藤 政明 ,  有田 睦信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-056830
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217962
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成された絶縁膜に、基板を外部に臨ませる、互に異なる平面パタ-ンを有する複数の窓を、弗化炭素系ガスを主成分とするガス系による反応性イオンを用いたドライエッチング処理によって、同時に形成する場合、小さな平面パタ-ンを有する窓が形成される前に大きな平面パタ-ンを有する窓が形成されることによって、基板が、大きな平面パタ-ンを有する窓に臨む領域において、小さな平面パタ-ンを有する窓に臨む領域に比しオ-バ-エッチングされるのを回避させる。【構成】 基板上に形成された絶縁膜に、基板を外部に臨ませる、互に異なる平面パタ-ンを有する複数の窓を、弗化炭素系ガスを主成分とするガス系による反応性イオンを用いたドライエッチング処理によって、同時に形成する工程の途上に、それまでに絶縁膜に同時に形成されている複数の溝部の内面に形成されている、上記ガス系による重合膜を除去させる工程を介挿させる。

請求項（抜粋）：

弗化炭素系ガスを主成分とするガス系による反応性イオンを用いたドライエッチング処理に対して難エッチング性を呈する基板上に形成されている、上記ドライエッチング処理に対して易エッチング性を呈する絶縁膜上に、それを外部に臨ませる窓を有するマスク層を形成する工程と、上記絶縁膜に対する上記マスク層をマスクとする上記ドライエッチング処理によって、上記絶縁膜に、上記マスク層の窓に対応している、上記基板を外部に臨ませる窓を形成する工程とを有する絶縁膜への窓形成法において、上記絶縁膜に、上記ドライエッチング処理によって、上記窓を形成する工程の途上に、それまでに上記絶縁膜に形成されている溝部の内面に形成されている上記ガス系による重合膜を除去させる工程を介挿させることを特徴とする絶縁膜への窓形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-205916
  
• 特開平1-094621
  
• 特開昭61-263225
  
• 特開平2-094522