特許

J-GLOBAL ID：200903099090174772

中性粒子ビーム照射装置

発明者： 西川 雅弘 ,  上田 良夫
出願人/特許権者： 西川 雅弘
代理人 (1件)： 岩越 重雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041294
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 低エネルギー領域(数Kev〜数百ev)の中性粒子ビームを照射する装置に於いて、中性粒子ビームの高輝度化を計ることにより超高温場の達成を可能とし、実際の周辺プラズマ条件に近い状態下で種々の材料に対する高熱負荷照射試験等を実施できるようにする。【構成】 アークチャンバーを備え、熱陰極アーク放電によりソースプラズマを生成するソースプラズマ生成部と;前記アークチャンバーの開口部に設けられ、ソースプラズマ中のイオンを中性化セル内へ引出すビーム引出し電極部とから成る中性粒子ビーム照射装置に於いて、前記ビーム引出し電極部を、所定の間隔を保持して並設した複数枚の電極孔を有する曲面状電極から構成する。

請求項（抜粋）：

アークチャンバーを備え、熱陰極アーク放電によりソースプラズマを生成するソースプラズマ生成部と;前記アークチャンバーの開口部に設けられ、ソースプラズマ中のイオンを中性化セル内へ引出すビーム引出し電極部とから成る中性粒子ビーム照射装置に於いて、前記ビーム引出し電極部を、所定の間隔を保持して並設した複数枚の電極孔を有する曲面状電極から構成したことを特徴とする中性粒子ビーム照射装置。

IPC (3件)：

H05H 3/02 ,  H01J 37/08 ,  H05H 7/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-163950
  
• 特開昭56-045600
  
• 特開昭57-191940
  
• 特開平3-225740