特許

J-GLOBAL ID：200903099091248354

半導体基板およびその製造方法

発明者： 末岡 浩治 ,  足立 尚志
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-024797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199507
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 表層には無欠陥層を有した酸素を含む半導体基板、並びにSiエピ層を設ける半導体基板において、汚染重金属のゲッタリング能力が高く、なおかつ基板の強度が優れた半導体基板を提供する。【解決手段】 特定の熱処理により、表層には無欠陥層を有する場合はLSI形成領域より深層にSiO2析出物を所定量含有させ、後工程でエピタキシャル成膜する場合は表面よりほぼ均一にSiO2析出物を所定量含有させることにより、汚染重金属のゲッタリング能力が高く、基板の反りを著しく低減した強度の優れた半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

酸素を含む半導体基板において、該半導体基板のLSI形成領域より深層範囲に、SiO2析出物を108〜1012個/cm3の密度で含有した半導体基板。