特許

J-GLOBAL ID：200903099094153052

プレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハ

発明者： 大村 雅一 ,  和田 次郎
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127283
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】量産性に優れるMOVPE法により成長させたとき、高い電子移動度を示すプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】半絶縁性基板1の上に、高抵抗バッフア層2、チャネル層3、スペーサ層4、不純物プレーナドープ層5、ショットキーコンタクト層7およびオーミックコンタクト層8を順に成長させたエピタキシャルウエハにおいて、不純物プレーナドープ層5に隣接して高Al混晶層6を形成する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に有機金属気相成長法(MOVPE法)によって成長した複数の半導体層を有するプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハにおいて、前記半絶縁性基板上に形成されたバッフア層と、前記バッフア層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたスペーサ層と、前記スペーサ層上に形成された不純物プレーナドープ層と、前記不純物プレーナドープ層に隣接して形成されたAl混晶層より構成されることを特徴とするプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (37件)：

5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN06 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F103AA05 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD06 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK04 ,  5F103KK06 ,  5F103KK08 ,  5F103LL07 ,  5F103RR01