特許
J-GLOBAL ID：200903099094974803
半導体光スイッチ集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075747
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112554
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 光入力パターンを直接に受光し、閾値処理し、増幅し、発光し、記憶する機能に加えてノイズ除去及び平滑化処理を高速に行う機能を有する半導体光スイッチ集積素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体光スイッチ集積素子は、P型エミッタ基板11上にN型キャリア拡散層12と、N型キャリア層12上に分離されたP型バリア層13と、P型バリア層13上のそれぞれにN型コレクタ層14とを有する複数の光スイッチと、各光スイッチのコレクタに一端が接続され、エミッタ基板上に形成された抵抗4とを備える。そして、全ての光スイッチが共有するN型キャリア拡散層12を設けて、スイッチオン状態になった光スイッチから注入された少数キャリアがこのキャリア拡散層を拡散してキャリア拡散長の範囲に隣接する光スイッチにも作用するようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型エミッタ基板と、前記第1導電型エミッタ基板の上に設けられた第2導電型キャリア拡散層と、1次元および2次元のいずれかに分散して配置され、前記第2導電型キャリア拡散層の上に複数設けられた第1導電型バリア層と、前記第1導電型バリア層の上のそれぞれに設けられた第2導電型コレクタ層と、を有し、前記第2導電型コレクタ層が受光することによりオンして発光する複数の光スイッチと、前記第1導電型エミッタ基板の上に形成され、前記第2導電型コレクタ層のそれぞれに一端が接続された複数の抵抗と、を備え、前記抵抗の他端のそれぞれは、第1の電源の一端に接続され、前記第1導電型エミッタ基板は、前記第1の電源の他端に接続される、ことを特徴とする半導体光スイッチ集積素子。
IPC (3件)：
H01L 31/14
, H01L 27/14
, H04N 5/335
H01L 31/14 Z
, H04N 5/335 A
, H01L 27/14 Z
