特許
J-GLOBAL ID：200903099098935357
積層セラミックコンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349732
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171937
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低酸素分圧であっても半導体化せずに焼成可能で、誘電率及び絶縁抵抗が高く、高電界強度下における絶縁抵抗の低下率が低く、誘電体厚みを薄くしても信頼性に優れ、高温負荷,耐湿負荷等の耐候性能に優れた、小型大容量の積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 誘電体セラミック層14a,14bが、(1-α-β){BaO}<SB>m </SB>・TiO<SB>2 </SB>+α{(1-x)M<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>+xRe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>}+β(Mn<SB>1-y-z </SB>Ni<SB>y </SB>Co<SB>z </SB>)O(0.0025≦α≦0.025、0.0025≦β≦0.05、β/α≦4、0<x≦0.50、0≦y<1.0、0≦z<1.0、0≦y+z<1.0、1.000<m≦1.035)で表される主成分100モルに対して、副成分がMgOを0.5〜5.0モル含有し、上記成分を100重量部として、Li<SB>2 </SB>O-(Si,Ti)O<SB>2 </SB>-Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>-ZrO<SB>2 </SB>系の酸化物を0.2〜0.3重量部含有した材料によって構成される。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体セラミック層、それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極、および露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極を含む積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が0.02重量%以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルとからなり、次の組成式、(1-α-β){BaO}<SB>m </SB>・TiO<SB>2 </SB>+α{(1-x)M<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+xRe<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>}+β(Mn<SB>1-y-z </SB>Ni<SB>y </SB>Co<SB>z </SB>)O(ただし、Re<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>は、Gd<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Tb<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Dy<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>の中から選ばれる一種類以上であり、M<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>は、Sc<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Y<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>の中から選ばれる一種類以上であり、α、β、m、x、y、zは、0.0025≦α≦0.0250.0025≦β≦0.05β/α≦40<x≦0.500≦y<1.00≦z<1.00≦y+z<1.01.000<m≦1.035)で表される主成分100モルに対して、副成分として、酸化マグネシウムをMgOに換算して、0.5〜5.0モルを添加含有し、さらに、上記成分を100重量部として、Li<SB>2 </SB>O-(Si,Ti)O<SB>2 </SB>-Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>-ZrO<SB>2 </SB>系の酸化物を0.2〜3.0重量部含有した材料によって構成され、前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成されていることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 358
, C04B 35/46
, H01B 3/12 303
H01G 4/12 358
, H01B 3/12 303
, C04B 35/46 D
