特許

J-GLOBAL ID：200903099102412720

非晶質太陽電池

発明者： 横田 晃敏 ,  三宮 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123484
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326993
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 積層型非晶質太陽電池において、高RFパワー入力で製膜される微結晶ドープ層の製膜時における下地の非晶質ドープ層のプラズマの損傷を低減する。【構成】 上段の微結晶ドープ層であるn層5と下段の非晶質ドープ層であるp層7との間に透光性導電膜6を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された少なくとも2つのnip接合構造のアモルファスシリコン層を有し、これらのアモルファスシリコン層は透光性導電膜を介して直列接続されていることを特徴とする非晶質太陽電池。