特許
J-GLOBAL ID：200903099102845880
半導体セラミック
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321307
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157925
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 PTC特性の良好なBaTiO3系半導体材料を用い、かつ、室温抵抗をより低くした半導体セラミックを提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を分散させてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を分散させてなることを特徴とする半導体セラミック。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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