特許

J-GLOBAL ID：200903099102930918

半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102687
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流等のレーザ特性にばらつきが生じないような構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子20は、リッジ型の端面発光型レーザ素子であって、n-InP基板21上に順次形成された、n-InPクラッド層22、SCH-MQW活性層23、第1のp-InPクラッド層24、p-AlInAs被酸化層25、第2のp-InPクラッド層26、及びp-GaInAsコンタクト層27からなる積層構造を備える。第1のp-クラッド層を含む上層は、ストライプ状リッジ32になっている。第1のp-クラッド層の上面には、2本の細溝33がリッジの延在方向と平行に相互に離隔した形成されていて、被酸化層は、2本の細溝の溝壁上、及び、第1のp-クラッド層上に成膜され、リッジ側面から細溝の外側の溝壁までは、Alが選択的に酸化されたAl酸化層28となっている。細溝により、被酸化層の酸化反応の領域的進行を制御できる。

請求項（抜粋）：

Alを含む化合物半導体層のAlを選択的に酸化してなるAl酸化層によって形成された電流狭窄領域を活性層の少なくとも一方の面側の下地層上に備える半導体レーザ素子において、少なくとも1本の細溝が、Alを含む化合物半導体層の下地層の上面に電流狭窄領域の内縁に沿って形成され、Alを含む化合物半導体層が、下地層の細溝の溝壁上に溝壁に沿って、及び、溝壁上に連続して下地層上に設けられ、最外側の細溝の外側に延在するAlを含む化合物半導体層は、Alが選択的に酸化されたAl酸化層に転化して電流狭窄領域を構成し、最内側の細溝の内側に延在するAlを含む化合物半導体層は、Alが未酸化の電流注入領域を構成することを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27 ,  5F073EA23