特許
J-GLOBAL ID：200903099104033220
半導体レーザモジュールおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053380
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 規格化結合係数κLの制御性を高くできる分布帰還型半導体レーザモジュールの提供。【解決手段】 電極端子付きパッケージと、前記パッケージ内に配置されかつ結合係数κと回折格子領域の長さLの積である規格化結合係数κLが相互に異なる複数の分布帰還型半導体レーザ部を並列にモノリシックに形成した半導体チップと、前記パッケージの内外に亘って延在する光ファイバと、前記光ファイバの内端と前記半導体チップの出射面との間に介在されて前記各半導体レーザ部から出射されるレーザ光を前記光ファイバ内に集光させるレンズと、前記複数の半導体レーザ部のうちの一つの半導体レーザ部の電極と前記電極端子を電気的に接続する接続手段とを有する。
請求項（抜粋）：
電極端子付きパッケージと、前記パッケージ内に配置されかつ結合係数κと回折格子領域の長さLの積である規格化結合係数κLが相互に異なる複数の分布帰還型半導体レーザ部を並列にモノリシックに形成した半導体チップと、前記パッケージの内外に亘って延在する光ファイバと、前記光ファイバの内端と前記半導体チップの出射面との間に介在されて前記各半導体レーザ部から出射されるレーザ光を前記光ファイバ内に集光させるレンズと、前記複数の半導体レーザ部のうちの一つの半導体レーザ部の電極と前記電極端子を電気的に接続する接続手段とを有することを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F073AA13
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB21
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073EA02
, 5F073FA02
, 5F073FA18
, 5F073FA25
, 5F073FA27
, 5F073GA22
