特許

J-GLOBAL ID：200903099110288826

ケイ酸残留物の生成を防止のためのフッ酸処理後の脱イオン水/オゾン洗浄

発明者： マイケル エフ.パス ,  ジン-グー パーク
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300785
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190994
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造工程において、ウエハの上にケイ酸が生成されるのを防止する方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、シリコン基板またはシリコン特性体の少なくとも一部分を露出するためにシリコン・ウエハの上に形成された酸化物の一部分を除去する段階と、前記シリコン・ウエハにオゾン化された溶液、好ましくは脱イオン水、を作用させることにより前記シリコン・ウエハを洗浄する段階と、前記シリコン・ウエハを乾燥する段階と、を有する。前記ウエハにオゾン化された溶液を作用させる前記段階の期間中に、前記シリコン・ウエハの上に薄い酸化物が作成される。酸化物の前記部分が除去された後、露出されたシリコン表面は疎水性になるが、前記露出されたシリコン表面がオゾン化された溶液の作用を受けると、前記シリコン・ウエハの表面は親水性になり、それによりケイ酸が生成されるのが防止される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板または露出されたシリコンの少なくとも一部分を露出する段階と、シリコン・ウエハをオゾン化された溶液の中に浸す段階と、前記シリコン・ウエハを乾燥する段階と、を有する、シリコン・ウエハの上に作成された電子装置の露出したシリコンの上に少なくとも1つの水マークが生成するのを防止する方法。