特許

J-GLOBAL ID：200903099110996308

位相シフトマスクの白欠陥修正方法

発明者： 栗原 正彰 ,  高橋 正泰
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067408
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 位相シフトマスクのシフター材の欠落部を修正する。【構成】 白欠陥部の酸発生剤に電離放射線によって酸(H+ )を発生させるか、もしくH+ のイオンビームを照射して酸を発生させ、発生した酸に水を吸着させた後に、吸着した水と有機ケイ素化合物をCVD法によって反応させて、欠落部にシフター材(SiO2 )を堆積させる。【効果】 修正していない部分と同等の特性のシフターが形成できる。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクの白欠陥修正方法において、位相シフトマスクの白欠陥部に、酸(H+ )を発生させ、発生した酸に吸着した水をCVD法により有機ケイ素化合物と反応させ選択的に欠陥部にSiO2 を堆積させることを特徴とする位相シフトマスクの白欠陥修正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 W ,  H01L 21/30 311 W