特許
J-GLOBAL ID：200903099111555283
CVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281316
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132231
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】CVD装置において、反応炉内の圧力変動によるウエハ温度の変化を低減し、半導体素子製造過程における歩留まりの向上と高スル-プット化を実現する。【構成】油圧シリンダ21、ベローズ22、サポート23及び押上棒24よりなる間隙制御機構20を用いて、ウエハ14と均熱板7との間隙Lを制御する。間隙Lは、間隙Lに対する反応炉内ガスの平均自由行程λの比によって定義されるクヌッセン数K(K=λ/L)が、約0.01以下になる様に設定する。これにより、ウエハ14と均熱板7との間隙によって形成される空間領域の流れ形態が粘性流になり、炉内圧力変動に伴うガスの熱伝達量が一定となり、ウエハ14の温度変化が低減する。
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器の内部に設けたヒータ及び均熱板とを有するサセプタと、該サセプタに載置したウエハとを備え、前記真空容器に反応性ガスを導入して前記ウエハの表面に膜を形成するCVD装置において、前記真空容器に前記ウエハと前記均熱板間の間隙を調整する間隙制御機構を設け、前記間隙により形成される空間領域の流れを粘性流としたことを特徴とするCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H01L 21/31
