半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261658
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】素子の信頼性を高める半導体装置の表面保護膜を提供する。【解決手段】エピタキシャル層104を含む半導体基板105上に疎な膜質のアロイ用保護膜107をパターニングしてから、オーミック電極101、102、112、113を形成しアロイ処理を施す。アロイ処理の後に密な膜質の層間絶縁膜108を形成し、パターニングすることによりオーミック電極を露出させてから、配線処理を施す。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板表面に形成された半導体素子と、この半導体素子表面に設けられた相互に膜質の異なる第1と第2の保護膜を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面に前記第1の保護膜を形成してから、前記半導体素子のコンタクト領域上の該第1の保護膜をエッチングする工程と、前記コンタクト領域上にオーミック金属層を堆積しパターニングする工程と、前記オーミック金属層と前記コンタクト領域とを熱処理で合金化する工程と、前記第1の保護膜より密な膜質を有する第2の保護膜を前記第1の保護膜上に形成してから、前記オーミック金属層上の該第2の保護膜をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/80 Q , H01L 21/318 B

前のページに戻る