特許
J-GLOBAL ID：200903099119656623
静磁波装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347096
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193408
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 電磁波-静磁波変換効率を改善して、比較的波長の長い準マイクロ波帯でも効率良く静磁波を励振可能とする。【構成】 GGG基板5の一方の主面上に形成された静磁波が伝搬する磁性薄膜6を周回するように電極部2a,2b,2cを導線23で接続して入力トランスデューサ21を構成するとともに、電極部3a,3b,3cを導線24で接続して出力トランスデューサ22を構成する。
請求項（抜粋）：
GGG等の基板の一方の主面上に形成された1層又は数層の静磁波が伝搬する磁性体を周回するように導体線路を設けてトランスデューサを構成したことを特徴とする静磁波装置。
IPC (3件)：
H01P 3/00
, H01P 1/215
, H01P 9/00
