特許

J-GLOBAL ID：200903099121875367

半導体応用装置の製造装置、製造方法、検査解析装置及び検査解析方法

発明者： 杉本 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109585
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298060
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 装置設計者の負担を軽減しながら、製品となる半導体応用装置の電気的な不良の原因を短期間で絞り込むことができ、従来のTEGと比して検査を効果的に行うことができ、そのコストを低減することができる半導体応用装置の製造装置、製造方法、検査解析装置、及び検査解析方法を提供する。【解決手段】 加工対象層12上にフォトレジスト13を形成する。フォトレジスト13は感光していない部分が露光後の現像及び洗浄によって除去される性質のものである。そして、完全回路形成用マスク3の所定領域の光源側に遮蔽材4aを密着させたものをマスクとして紫外線又はX線によりフォトレジスト13を露光する。この結果、フォトレジスト13にパタン転写部13a及び非感光部13bが存在する。次に、フォトレジスト13の非感光部13bを現像及び洗浄により除去し、フォトレジスト13のパタン転写部13aをマスクとして加工対象層12をエッチングする。

請求項（抜粋）：

製品となる半導体応用装置の外に、この製品を検査するための検査用半導体応用装置を形成する半導体応用装置の製造装置において、前記製品半導体応用装置の検査対象となる回路を含みそれ以外の回路のうち少なくとも任意の一部が欠落した不完全回路パターンを形成する手段と、前記不完全回路パターンの欠落部に別の任意の回路パターンを結合する手段とを有し、これにより、前記検査用半導体応用装置を形成することを特徴とする半導体応用装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/66 F ,  G01R 31/28 U ,  H01L 21/82 T ,  H01L 27/04 T

Fターム (25件)：

2G032AB20 ,  2G032AC01 ,  2G032AC09 ,  2G032AK11 ,  4M106AA08 ,  4M106AC01 ,  4M106AC13 ,  4M106CA04 ,  4M106DJ18 ,  5F038CA05 ,  5F038CD15 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F064DD26 ,  5F064DD39 ,  5F064DD50 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064HH10 ,  9A001BB05 ,  9A001BB06 ,  9A001KK16 ,  9A001KK54 ,  9A001LL05 ,  9A001LL06