特許

J-GLOBAL ID：200903099128494970

反射防止膜及びパターンニング方法

発明者： 斉藤 雅夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199789
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 レジストに対してエッチング速度が速く、ArFエキシマレーザ光に対して反射防止効果を有する有機材料を提供する。【解決手段】 レジスト膜の下層に設けられる反射防止膜であり、ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体からなる。ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体には、芳香環を有するモノマーが0.1mol%〜10.0mol%の割合で含まれている。パターニングを行う場合には、リソグラフィーによって反射防止膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いて反射防止膜及び下層の基板表面を低温エッチングする。

請求項（抜粋）：

レジスト膜の下層に設けられる反射防止膜であって、ポリビニルアルコールの芳香族化合物誘導体からなることを特徴とする反射防止膜。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  C09D129/04 ,  C23F 1/00 102 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/11 503

FI (5件)：

H01L 21/30 574 ,  C09D129/04 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G02B 1/10 A