半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084033
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291173
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多結晶シリコン膜の導電性を向上するために導入した不純物が、当該多結晶シリコン膜の結晶粒界に偏析する割合を減少させ、耐圧特性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に、ゲート絶縁膜2を介して、非晶質シリコン膜を形成し、この非晶質シリコン膜に不純物を導入して、当該非晶質シリコン膜を結晶化させると共に、導電性を向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に、非晶質シリコン膜を形成する第1工程と、前記非晶質シリコン膜に、不純物を導入する第2工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/62 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 P , H01L 29/78 301 G

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