特許

J-GLOBAL ID：200903099134296277

絶縁ゲート型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 川崎 清弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323553
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147413
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】ゲート・ドレイン間の寄生容量による画像の焼付けを防止し、プラズマ・ドーピングによる欠陥準位の発生を防止でき、ソース・ドレイン配線の低抵抗化が可能な絶縁ゲート型トランジスタとその製造方法を提供する。【構成】絶縁性基板2と、この絶縁性基板2に形成されたゲート11と、このゲート11上に第1の絶縁層24を介して形成された第2の絶縁層(27′)と、この第2の絶縁層下に形成された不純物を含まない非晶質シリコン層のチャンネル(31)と、不純物を含んでチャンネル(31)に隣接する一対の非晶質シリコン層32と、不純物を含んだ非晶質シリコン層上に形成されたソース・ドレイン配線12,23とを備えている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、この絶縁性基板の一主面上に形成されたゲートと、このゲート上に第1の絶縁層を介して前記ゲートよりも細く自己整合的に形成された第2の絶縁層と、この第2の絶縁層下に前記ゲートと自己整合的に形成された不純物を含まない非晶質シリコン層のチャンネルと、不純物を含んで前記チャンネルに隣接する一対の非晶質シリコン層と、これらの不純物を含んだ非晶質シリコン層上に自己整合的に形成されたソース・ドレイン配線とを備えた絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-168052
  
• 特開昭62-172761