特許

J-GLOBAL ID：200903099142624399

MOS型半導体素子

発明者： 吉田 和彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232410
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】MOS型半導体素子と共通の半導体基板に、過電流あるいは周囲温度上昇による基板の過熱の検知手段を集積する。【構成】MOS型半導体素子と共通の半導体基板に自己分離型のダイオードを集積し、そのダイオードを抵抗、デプレッション型MOSFETあるいはエンハンスメント型MOSFETを介して主素子のゲートに接続し、ゲート電圧印加時にそのダイオードに逆電圧が印加されるようにする。。ダイオードの逆方向漏れ電流は基板温度の上昇と共に大きくなり、ダイオードと直列素子との中間的に設けた検出信号端子の出力はある基板温度になるとHからLに変わるので、それを利用して主素子のゲート電圧引き抜き回路を動作させる。

請求項（抜粋）：

第一導電形の半導体基板をはさむ主電極間を流れる電流が基板一面上に絶縁膜を介して設置されたゲート電極への印加電圧によって制御されるものにおいて、同一半導体基板の一面側の表面層に選択的に形成された第二導電形の領域とこの領域の表面層に選択的に形成された第一導電形の領域とからなるダイオードを内蔵し、このダイオードの第二導電形領域が一面上の主電極に接続され、ゲート電極への電圧印加時にこのダイオードの第一、第二導電形領域間に印加される逆電圧によって流れる漏れ電流が半導体基板の温度上昇によって所定の値に達したときに出力が高から低に変化する過熱検出信号端子を備えたことを特徴とするMOS型半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/78 321 T ,  H01L 27/06 311 Z